第十五届全国分子束外延（MBE）学术会议将于2023年10月10-13日在江苏省汾湖高新技术产业开发区（苏州知音温德姆至尊酒店）召开。埃特曼半导体技术有限公司（以下简称“埃特曼”）携手全球领先的MBE设备制造商DCA共同参与此次盛会。

埃特曼以客户为中心，为客户提供量身定制的创新解决方案，打造全面立体的生态链。我们致力于成为客户最可信赖的专家，帮助客户突破业务上的难题，实现可持续增长。公司凝聚了MBE领域顶尖人才，与DCA共同研发并掌握了适用于工业级半导体生产的MBE设备技术，全方位地为客户提供GaAs、InP、GaN等化合物半导体材料解决方案，助力光通讯、5G、数据中心、新能源、Micro-LED等领域的高质量发展。

我们期待与您相聚汾湖，共同探讨我国在MBE及其相关领域的新进展、新动态、新成果，交流我国MBE发展中存在的问题和未来的发展方向，促进我国MBE技术及其相关领域科学技术的发展，共同谱写MBE发展的崭新篇章。

中国科学院物理研究所研究员、中国分子束外延技术奠基人之一，埃特曼首席科学家周均铭先生将出席大会并以“生长GaN基材料的混合 MBE技术”为主题做大会报告。

摘要：GaN作为第三代半导体不仅可以用来制备可见光及紫外波段的LED和LD，而且在电力电子及射频器件方面显示出优异的性能。由于GaN衬底受价格及尺寸的限制，在SiC、蓝宝石及Si衬底上的异质外延受到业界的关注。至今GaN基材料的产业化生长技术基本上是采用MOCVD，而在MBE技术生长GaN材料方面，混合MBE是一个有希望的技术。

埃特曼研发中心副总监彭长四教授也会在分会场做“与MBE生长原位、同步、无晶格缺陷激光纳米结构制备和光刻解决方案”的邀请报告。