丰田合成 Toyoda 开发用于高压、高速运行的水平 GaN 功率器件
在日本环境省“加速创新性 CO 2减排零部件和材料的社会实施和推广项目”的支持下,位于爱知县清须市的丰田合成株式会社和日本 Powdec KK 联合开发了一种高-高性能水平氮化镓(GaN)功率器件,可提高太阳能发电和其他设备中使用的功率转换器的性能。
随着社会朝着碳中和的方向发展,对于工业机械、汽车和家用电器等的功率控制,人们非常关注能够减少控制保持期间功率损耗的下一代功率器件的商业化和采用。GaN 功率器件尤其具有高速运行的特点,但更高的击穿电压以实现更高功率的运行一直是更广泛应用中的一个问题。
图片:GaN功率器件和驱动电路板。
采用由丰田合成和 Powdec 开发的独创设计的极化超级结 GaN 功率晶体管,其击穿电压 ≥1500V,具有高压工作(800V)和高速工作(开/关)的性能。据称,操作速度(百万分之一秒)是“世界上最高的”。
图片:丰田合成的开发区域。
展示的一种可提供高电压和高速运行的功率器件被认为有望减少太阳能发电中的功率损耗并带来其他好处。两家公司的目标是确保稳定的持续运行和持久的质量,以实现早期商业化。
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